英国物理学会会士，湖北英国皇家化学会会士，中国微米纳米技术学会会士。

鄂州(iii).非化学计量的SiOx负极材料。市5输变（b）SiOx/C负极在质量载荷为3.5mg.cm-2时的速率能力。

2.2.2、千伏SiO2/C杂化负极材在硅氧化物材料中，SiO2具有最低的导电性，而碳具有良好的导电性。从那时起，吴都研究人员就已经致力于制备基于SiOC的负极材料。【总结与展望】基于硅氧化物（SiO、电工SiO2、SiOx和SiOC）的材料代表了用于下一代LIBs的有吸引力的高容量的系列负极材料。

因此，程竣产本综述总结了硅氧化物负极材料的微观结构、锂存储机制、合成方法和电化学性能的最新进展。工投LixSi合金中Li+的脱嵌/嵌入是可逆的。

长期从事纳米能源材料与器件研究，湖北已发表SCI论文290余篇，湖北包括Nature及其子刊11篇，Chem.Rev.1篇，Adv.Mater.14篇，J.Am.Chem.Soc.2篇，Angew.Chem.Int.Ed.2篇，PNAS2篇，NanoLett.25篇，Joule2篇，Chem.1篇，Acc.Chem.Res.1篇，EnergyEnviron.Sci.1篇，以第一或通讯作者在影响因子10.0以上的期刊发表论文90余篇，2017年被评为英国皇家化学会中国高被引学者。

 Figure17.（a）卵黄@壳SiOx/C微球的制备示意图，鄂州在外表面和内表面上具有半石墨碳涂层（SiOx/C-CVD）。市5输变图1是本文的主题和典型TENG的例子。

此外，千伏与其他高压电源相比，TENG能够通过改变接触面积，滑动距离或间隔距离，更方便控制电压和转移电荷。DEA具有弹性刚度低，吴都应变能力大的特点，这会导致DEA的诱导变形变大，进而获得各种功能性机械驱动器。

图2e中制备四种不同的TENG（i）PET：电工PET，ii）PET：P-PET，iii）PET：F-PET，和iv）P-PET：F-PET）以验证输出电压是否由表面上的不同化学键引起的。未来，程竣产由于TENG的成本低廉和制造工艺简单的特点，程竣产TENG的微流体芯片、弹性体智能光学器件、手持式静电纺丝机、便携式质谱仪和许多其他自供电系统的商业化都将成为可能。